РФ и Индия заключили контракт на поставку Нью-Дели комплексов С-400, сообщил РИА Новости пресс-секретарь президента РФ Дмитрий Песков.
«Да. На полях визита», — сказал Песков РИА Новости, отвечая на соответствующий вопрос.
Стоимость контракта на поставку Индии комплексов С-400 «Триумф» в составе пяти полков составляет более 5 миллиардов долларов.
Президент РФ Владимир Путин и премьер-министр Индии Нарендра Моди приветствовали заключение контракта на поставку Индии зенитных ракетных систем большой дальности С-400 «Триумф», говорится в совместном заявлении лидеров по итогам переговоров.
«Стороны приветствовали заключение контракта на поставку Республике Индии зенитных ракетных систем большой дальности С-400 «Триумф», — говорится в заявлении, опубликованном на сайте Кремля.
Добавляется, что стороны подтвердили приверженность России и Индии развитию двустороннего военно-технического сотрудничества, которое имеет долгую историю, носит доверительный и взаимовыгодный характер. Стороны выразили удовлетворение по поводу значительного прогресса, достигнутого в осуществлении текущих военно-технических проектов, и отметили позитивные изменения в области совместных исследований и организации российско-индийских предприятий по производству продукции военного назначения. Они дали высокую оценку двусторонней военно-промышленной конференции, назвав ее важным механизмом продвижения инициативы «Делай в Индии».
Зенитный ракетный комплекс С-400 «Триумф» (по классификации НАТО - SA-21 Growler) — зенитная ракетная система большой и средней дальности, зенитный ракетный комплекс (ЗРК) нового поколения.
Система предназначена для высокоэффективной защиты важнейших политико-административных, экономических и военных объектов от ударов авиации, стратегических крылатых, тактических и оперативно-тактических баллистических ракет, а также баллистических ракет среднего радиуса действия в условиях боевого и радиоэлектронного противодействия.
Комплекс может применяться ночью и днем в любых физико-географических, а также погодно-климатических условиях при сильном радиоэлектронном противодействии.
